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采用密度泛函理论方法计算（9,0）单壁GaN纳米管替代掺杂不同浓度In体系电子结构特性,通过调制能带从而探究该体系掺杂后的电学方面的特性。研究结果表明：In掺杂到GaN后In-N的键变长,GaN晶胞体积增大,带宽变窄,使得材料电导率有所提高。
InxGa1-xN纳米管能带调制的研究
【摘 要】
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采用密度泛函理论方法计算（9,0）单壁GaN纳米管替代掺杂不同浓度In体系电子结构特性,通过调制能带从而探究该体系掺杂后的电学方面的特性。研究结果表明：In掺杂到GaN后In-N的键变
【机 构】
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广西民族师范学院物理与电子工程学院
【出 处】
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信息记录材料
【发表日期】
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2018年8期
【基金项目】
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广西高校中青年教师基础能力提升项目（2017KY0831）广西民族师范学院校级科研项目（2016QN002）
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