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研究了横向不均匀偏置磁场作用下掺Bi的YIG薄膜中微波静磁波的激发和传播特性；采用变分方法计算了静磁正向体波的色散关系和交变磁化强度，分析了不均匀场对静磁波-导渡光耦合的影响．理论计算得到的衍射效率曲线与实验结果基本一致，表明适当不均匀场可以大大提高磁光Bragg器件的衍射性能．
不均匀磁化薄膜中静磁波对导波光的Bragg衍射
【摘 要】
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研究了横向不均匀偏置磁场作用下掺Bi的YIG薄膜中微波静磁波的激发和传播特性；采用变分方法计算了静磁正向体波的色散关系和交变磁化强度，分析了不均匀场对静磁波-导渡光耦合的
【机 构】
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电子科技大学宽带光纤传输与通信网技术教育部重点实验室
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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2006年5期
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