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本文对PECVD法淀积原位掺杂多晶硅膜并制备浅发射结进行了实验研究,调查了B2H6/SiH4比率以及淀积、退火温度等对掺杂多晶硅膜电阻率以及浅发射结形式的影响,结果表明,在350~400℃的较低温度先淀积原位掺杂非晶膜,再1000℃退火使其相变为掺杂多晶膜的工艺,不但能方便地获得所要求的发射区掺杂量和浅发射结结深,而且还能同时获得满足制备欧姆接触电极要求的低电阻多晶硅膜。