【摘 要】
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研究了低压ＭＯＣＶＤ下生长压力和Ｆｅ 源／Ｉｎ 源摩尔流量比对半绝缘ＩｎＰ电阻率的影响．得到了用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ 生长掺Ｆｅ 半绝缘ＩｎＰ的优化生长条件．在优化生长条件下得到的Ｆｅ－ＩｎＰ的电阻率为２．０×１０８Ω·ｃｍ ，击穿电场４×１０４Ｖ／ｃｍ ．用半绝缘Ｆｅ－ＩｎＰ掩埋１．５５μｍ
【机 构】
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中国科学院半导体研究所国家光电子工艺研究中心!北京100083,中国科学院半导体研究所国家光电子工艺研究中心!北京100083,中国科学院半导体研究所国家光电子工艺研究中心!北京100083,中国科学
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研究了低压ＭＯＣＶＤ下生长压力和Ｆｅ 源／Ｉｎ 源摩尔流量比对半绝缘ＩｎＰ电阻率的影响．得到了用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ 生长掺Ｆｅ 半绝缘ＩｎＰ的优化生长条件．在优化生长条件下得到的Ｆｅ－ＩｎＰ的电阻率为２．０×１０８Ω·ｃｍ ，击穿电场４×１０４Ｖ／ｃｍ ．用半绝缘Ｆｅ－ＩｎＰ掩埋１．５５μｍ 多量子阱激光器，激光器的高频调制特性明显优于反向ｐｎ 结掩埋的激光器，３ｄＢ 调制带宽达４．８ＧＨｚ．
The effects of growth pressure and molar ratio of Fe source / In source on the resistivity of semi-insulating InP were investigated under low pressure MOCVD. The optimal growth conditions of Fe-doped semi-insulating InP by LP-MOCVD were obtained. The obtained Fe-InP under optimized growth conditions has a resistivity of 2.0 × 10 8 Ω · cm and a breakdown electric field of 4 × 10 4 V / cm. The semi-insulating Fe-InP buried 1.55μm MQW lasers, high-frequency laser modulation characteristics significantly better than the reverse pn junction buried laser, 3dB modulation bandwidth up to 4.8GHz.
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