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发现并研究了电极半径ｒ与瓷体半径Ｒ之比ｒ／Ｒ以对ＺｎＯ压敏电阻片耐受２ｍｓ方波电流冲击能力的作用规律，利用平面电阻网络和立体氧化锌压敏电阻器网络，实验模拟了ｒ／Ｒ对电极边缘电流密度分布的作用规律，研究结果表明增大ｒ／Ｒ能使电流密度均匀化，因而能增强ＺｎＯ压敏电阻片的通流能力。
电极边缘效应对ZnO压敏电阻片通流能力的影响
【摘 要】
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发现并研究了电极半径ｒ与瓷体半径Ｒ之比ｒ／Ｒ以对ＺｎＯ压敏电阻片耐受２ｍｓ方波电流冲击能力的作用规律，利用平面电阻网络和立体氧化锌压敏电阻器网络，实验模拟了ｒ／Ｒ对电极边缘电流密度分布的作用规
【机 构】
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西安交通大学电气工程学院
【出 处】
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电瓷避雷器
【发表日期】
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1996年5期
【基金项目】
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电力设备电气绝缘国家重点实验室开放课题
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