太阳能电池用单晶硅生长工艺研究

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随着对单晶硅太阳能电池需求的不断增加,单晶硅在市场上占据重要地位竞争日趋激烈.因此,了解单晶生长条件、生长缺陷以及它们对器件性能的影响之间的关系,对提高晶体质量是很重要的.本文采用直拉法生长了8英寸优质单晶硅,并对其电阻率、杂质含量及位错进行了测试,获得了最佳的生长工艺参数,分析了杂质引入机制及减少杂质的措施.
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