The low temperature growth of stable p-type ZnO films in HiPIMS

来源 :等离子体科学和技术(英文版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:luoqh163
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In this study,the influence of substrate temperature on properties of A1-N co-doped p-type ZnO films is explored.Benefitting from the high ionization rate in high-power impulsed magnetron sputtering,the concentration of ionized nitrogen N+ and ionized zinc Zn+ were increased,which promoted the formation of ZnO films and lowered the necessary substrate temperature.After optimization,a co-doped p-type ZnO thin film with a resistivity lower than 0.35 Ω cm and a hole concentration higher than 5.34 × 1018 cm-3 is grown at 280 ℃.X-ray diffraction results confirm that A1-N co-doping does not destruct the ZnO wurtzite structure.X-ray photoelectron spectroscopy demonstrates that the presence of A1 promotes the formation of acceptor (No)defects in ZnO films,and ensures the role of A1 in stabilizing p-type ZnO.
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