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针对研究增益饱和时，现有的垂直腔半导体光放大器（VCSOA）速率方程模型在确定输入信号的功率注入因子方面存在难题，根据法布里．珀罗腔边界条件，从行波方程和与位置相关的载流子方程出发，引入随轴向位置发生变化的增益增长因子刻画微腔内的驻波效应，构建出VCSOA的增益模型。利用该模型通过求方程的自洽得到了腔内载流子、光子的分布：并分析了反射增益，其结果与已报道的理论及实验基本一致。