【摘 要】
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1991年Xie等人提出了以应变来使重、轻空穴态反转，以轻空穴为基态，能有效增强子带跃迁的光吸收系数，1993年Wang等人[2]使用P型QWIP，通过在InGaAs中引入应力，实现了降低QWIP的暗电流，同时增强了光吸收，进一步提高了QWIP的性能。温度会对应变的量子阱结构和发光光谱产生影响。本文主要讨论在不同温度下，应变量子阱能级变化的情况。
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1991年Xie等人提出了以应变来使重、轻空穴态反转，以轻空穴为基态，能有效增强子带跃迁的光吸收系数，1993年Wang等人[2]使用P型QWIP，通过在InGaAs中引入应力，实现了降低QWIP的暗电流，同时增强了光吸收，进一步提高了QWIP的性能。温度会对应变的量子阱结构和发光光谱产生影响。本文主要讨论在不同温度下，应变量子阱能级变化的情况。
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