【摘 要】
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为分析石英晶体横向场激励(lateral-field-excitation,LFE)压电传感器的频率温度特性,文中在厚度场激励(Thick-field-excitation,TFE)压电传感器计算频率温度系数方法基础上,
【机 构】
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清华大学精密仪器与机械学系,深圳清华大学研究院信息与光机电研究所,
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为分析石英晶体横向场激励(lateral-field-excitation,LFE)压电传感器的频率温度特性,文中在厚度场激励(Thick-field-excitation,TFE)压电传感器计算频率温度系数方法基础上,增加一个电场方向的自由度,推导计算LFE压电传感器频率温度系数的公式,并使用该公式计算常用Y旋转切石英晶体横向场激励传感器的一阶、二阶和三阶温度系数,并将其与不考虑压电效应、厚度场激励的2种情况进行比较。通过计算发现,石英晶体在3种不同情况下的频率温度特性曲线基本重合,AT切和BT切石英晶体LFE压电传感器具有零温度系数。
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