【摘 要】
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利用管式PECVD在晶硅太阳电池上制备3种不同结构的Si Nx∶H减反射膜:第一子层(靠近基底硅)折射率大于第二子层的双层减反射膜、第一子层折射率小于第二子层的双层减反射膜、
【机 构】
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山东力诺太阳能电力股份有限公司; 燕山大学理学院;
【基金项目】
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国家高技术研究发展(863)计划(2012AA050303;2011AA050504);山东省自主创新成果项目(2010ZHZX1A0702;2011ZHZX1A0701)
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利用管式PECVD在晶硅太阳电池上制备3种不同结构的Si Nx∶H减反射膜:第一子层(靠近基底硅)折射率大于第二子层的双层减反射膜、第一子层折射率小于第二子层的双层减反射膜、单层减反射膜。通过光学和电学性能的比较可看出,第一种类型太阳电池的短路电流、开路电压和电池效率的分布区间均相对集中,其短路电流和开路电压均高于其他样品。该结果主要归结于该类型双层Si Nx∶H减反射膜不但光学匹配性好,而且对太阳电池的表面及体钝化效果最优。
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