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本文首先给出了ＳＯＩ上纳米金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＮＡＮＯ－ＭＯＳＦＥＴ）的结构，它是一种非传统ＭＯＳＦＥＴ。ＮＡＮＯ－ＭＯＳＦＥＴ源漏区采用金属，沟道采用本征硅，该结构避免了系统ＭＯＳＦＥＴ的短沟道效应，利用一组基本器件方程，我们模拟并分析了ＮＡＮＯ－ＭＯＳＦＥＴ的基本特性，计算表明，ＮＡＮＯ－ＭＯＳＦＥＴ在一定范围内源漏电导受栅极电压显著调控，适用于各种数字电路，包括存储单元，另外，