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现有光晶体管具有噪声较低、增益较高（光信号强度适中时）等优点；但它同时也存在线性较差、光信号较弱时增益较低等缺点，限制了它的实际应用。本文报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结一集电结接近穿通状态的具有高灵敏度、高线性度光晶体管的瞬态特性研究结果，采用负载电阻法和互阻放大器法分别测量响应时间对偏置电压和入射光功率的依赖关系。测量结果显示，器件的上升及下降时间明显依赖于入射光功率的变化，对偏置电压的依赖性较弱；416nW和1128nW入射光功率下大尺寸器件的响应时间分别在170μs和10μs量级，在416nW