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金属-半导体肖特基势垒结的电流传输机构在室温下对大多数实用的半导体应是热电子发射，而载流子通过耗尽层的扩散效应很小。电子从半导体发射向金属时，它们的能量比金属中电子能量高出qVb，qVb为势垒高度。
由波矢及动量表象中的电子分布推导半导体热电子发射电流
【摘 要】
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金属-半导体肖特基势垒结的电流传输机构在室温下对大多数实用的半导体应是热电子发射，而载流子通过耗尽层的扩散效应很小。电子从半导体发射向金属时，它们的能量比金属中电子
【机 构】
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电子工业部第十三研究所
【出 处】
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大学物理
【发表日期】
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1986年12期
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