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本发明公开了一种Mo基／TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法，该方法先在半导体衬底上依次形成界面SiO2层、高K栅介质层、Mo基金属栅、TaN金属栅、硅栅层和硬掩膜层；然后进行光刻和硬掩膜的刻蚀；去胶后，以硬掩膜为掩蔽，通过于法刻蚀工艺对硅栅层进行高选择比的各向异性刻蚀；通过干法刻蚀工艺对TaN金属栅、Mo基金属栅和高K介质进行高选择比的各向异性刻蚀。本发明所提供的Mo基／TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法，适于纳米级CMOS器件中高K／金属栅的集成需要，为实现高K／金属栅的集成提供了必要保证。