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辐射偏置条件是影响MOSFET（Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor）总剂量辐射效应的主要因素之一，因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关。本文采用10keVX射线对MOSFET在不同频率的动态偏置条件下进行总剂量辐射，分析了MOSFET辐照前后的阈值电压的漂移量和辐射感生电荷对阈值电压的影响。实验结果表明，动态偏置频率越高，辐射对MOSFET电特性的影响越小，产生的辐射感生电荷越少。