【摘 要】
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该文制备了TiN/Hf0.5Zr0.5O2(HZO)/HfO2/Si(MFIS)型的铁电晶体管栅结构,并在常规实验环境下对其进行了P-E、J-E、疲劳和保持等的电学性能测试.结果表明这种基于铪系氧化物的
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该文制备了TiN/Hf0.5Zr0.5O2(HZO)/HfO2/Si(MFIS)型的铁电晶体管栅结构,并在常规实验环境下对其进行了P-E、J-E、疲劳和保持等的电学性能测试.结果表明这种基于铪系氧化物的栅结构具有优良的电学性能,2Pr可达30μC/cm^2,2Ec约为6.8MV/cm,矫顽场附近的漏电流密度为10-6A/cm^2,在105s保持时间内剩余极化值衰减10%,经10^7次翻转后剩余极化值基本保持不变,经109次翻转后剩余极化值的衰减维持在15%以内.MFIS铁电栅的60Coγ射线电离辐射实验结
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