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文章采用射频磁控溅射法在氧化铟锡（indium-tinoxide，ITO）玻璃衬底上制备了钛酸镧锂（1ithiumlanthanumtitanate，LLTO）薄膜，并在氩气中经100、200、300℃退火2h。对薄膜的形貌、结构、离子电导率和光电性能进行测试。结果表明，室温下制备的LLTO薄膜为非晶态，随着退火温度的升高，薄膜的离子电导率和可见光透过率均随之升高，经300℃氩气气氛退火后，薄膜的离子电导率为5．0×10-6S／cm，可见光平均透过率为89％。