预估CMOS器件辐照后热退火效应的加速实验方法

来源 :核电子学与探测技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a1234578

【摘要】

：

介绍了一种利用等时退火法预估CMOS器件辐照后长时间等温退火行为的加速实验方法.为了找到两种退火在时间上的相应关系,依据每一步等时退火相当于有相同电荷逃逸水平的等温退

【作者】

：

何宝平周荷琴郭红霞罗尹虹张凤祁姚志斌

【机构】

：

中国科学技术大学,中国科学技术大学,西北核技术研究所

【出处】

：

核电子学与探测技术

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

：

等时退火等温退火预估热退火效应 isothermal annealing isochronal annealing prediction thermal

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介绍了一种利用等时退火法预估CMOS器件辐照后长时间等温退火行为的加速实验方法.为了找到两种退火在时间上的相应关系,依据每一步等时退火相当于有相同电荷逃逸水平的等温退火时间.利用典型CC4007 CMOS器件的25～250℃等时退火数据预估了100和25℃等温退火的长时间行为,预估结果和实验结果符合得很好.

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