EPC推出第二代200 V增强型GaN功率晶体管

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EPC公司推出的第二代200 V增强型GaN场效应晶体管EPC2010,可实现高频率转换,性能更优势,并采用符合RoHS(《关于电子电器设备中限制使用某些有害物质的指令》)标准的无铅封装。与技术成熟、包含开启电阻的硅功率 The EPC2010 second-generation 200 V enhanced GaN field-effect transistor, the EPC2010, offers high frequency conversion, superior performance, and compliance with the RoHS (“Directive on the Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment”) Lead-free package. And technology is mature, including open resistance of silicon power
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