【摘 要】
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用DLTS技术结合光电容定态谱、瞬态谱、OITS谱研究了GaAs_(0.6)P_(0.4):Te深中心的光电性质和电声耦合作用,在GaAs_(0.6)P_(0.4):Te中检测到两种深中心(A和B中心),表观热激活
【机 构】
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厦门大学物理系,厦门大学物理系,厦门大学物理系硕士研究生
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用DLTS技术结合光电容定态谱、瞬态谱、OITS谱研究了GaAs_(0.6)P_(0.4):Te深中心的光电性质和电声耦合作用,在GaAs_(0.6)P_(0.4):Te中检测到两种深中心(A和B中心),表观热激活能分别为0.20和0.40eV,光离化阀值分别为0.60和1.31eV。详细研究了B中心的特性,测量了光离化截面谱的温度关系,发现有明显的声于展宽现象和晶格弛豫效应,并在低温(90K)观察到B中心的持续光电导效应。描绘出位形坐标图,说明了实验结果,较好地描述了B中心的特性,确认B中心属于DX中心
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