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在重点考虑了提高击穿电压和增大电流容量的基础上，设计并研制出功率型ＤＵＢＡＴ。其主要参数达到：ＢＶＣＥＯ≥１２０Ｖ，ＩＣＭ≥２Ａ，ＲＮ≈５０－１１０Ω，ＰＣＭ≥１０Ｗ。并在此器件上首次发现了电压（流）控制调节脉冲频率效应。
功率双基区晶体管（DUBAT）及其压（流）控调频效应
【摘 要】
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在重点考虑了提高击穿电压和增大电流容量的基础上，设计并研制出功率型ＤＵＢＡＴ。其主要参数达到：ＢＶＣＥＯ≥１２０Ｖ，ＩＣＭ≥２Ａ，ＲＮ≈５０－１１０Ω，ＰＣＭ≥１０Ｗ。并在此器件上首次发现了电压（流）控制调节脉冲频率效应。
【机 构】
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天津大学电子工程系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1994年4期
【基金项目】
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天津市科委资助
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