【摘 要】
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使用Ｎｂ箔作中间层对常压烧结ＳｉＣ陶瓷进行了真空扩散连接。在最初的反应阶段，六方晶的Ｎｂ２Ｃ和Ｎｂ５Ｓｉ３Ｃｘ反应物分别在Ｎｂ和Ｓｉ侧形成。随着连接时间的增加，立方晶的ＮｂＣ和六方晶的ＮｂＳｉ２相在界面出现。试验结果表明，在
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使用Ｎｂ箔作中间层对常压烧结ＳｉＣ陶瓷进行了真空扩散连接。在最初的反应阶段，六方晶的Ｎｂ２Ｃ和Ｎｂ５Ｓｉ３Ｃｘ反应物分别在Ｎｂ和Ｓｉ侧形成。随着连接时间的增加，立方晶的ＮｂＣ和六方晶的ＮｂＳｉ２相在界面出现。试验结果表明，在１７９０Ｋ、３６ｋｓ的连接条件下所获得的接头，其室温剪切强度达到１８７ＭＰａ，高温（９７３Ｋ）剪切强度超过１５０ＭＰａ。
The Nb foil was used as an intermediate layer to vacuum diffusion bonded SiC ceramics. In the initial reaction stage, hexagonal Nb2C and Nb5Si3Cx reactants were formed on the Nb and Si sides, respectively. With the increase of connection time, cubic NbC and hexagonal NbSi2 phase appear at the interface. The experimental results show that the joint obtained under the connection conditions of 1790K and 36ks, the shear strength at room temperature reaches 187MPa and the shear strength at high temperature (973K) exceeds 150MPa.
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