LSMOTO薄膜p-n结微观结构对整流特性影响的研究

来源 :2006年全国电子显微学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zmaozhao
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钙钛矿结构氧化物(ABO3)包含一系列重要性质,如介电、铁电、压电、热电、光电、超导、巨磁电阻及光学非线性等特性和效应.Jin等人观察到掺杂锰氧化物的电阻率在磁场作用下可下降几个数量级,即庞磁电阻效应(CMR),而掺杂锰氧化物也因此成为科技界的研究热点,有望在磁记录、磁探测、磁传感器等方面得到重要应用.为了开发掺杂锰氧化物材料的应用价值和探索CMR的物理机理,各国学者用掺杂锰氧化物制备了多种p-n结.Yan在研究LaSrMnO3/ZnO薄膜p-n结时发现不同生长顺序使得p-n结I-V曲线不再具有整流特性而显示出线性特征.我们采用磁控溅射方法在硅衬底上分别制备了La0.8 Sr0.2 MnO3/TiOx/Si和TiOx/La0.8 Sr0.2 MnO3/Si多层膜,进行测量得到了类似结果.利用TEM对薄膜微观结构进行研究,分析了界面结构对p-n结电学行为的可能影响。
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