上转换有助于硅探测中红外辐射

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据美国《Laser Focus World》杂志报道,为了提供诸如碲镉汞或硒化铅之类液氮致冷中红外(3μm-20μm)列阵的替代品,美国麻省理工学院的科学家们目前正在研究将飞秒上转换技术用于成本较低的硅CCD列阵,以便使后者能够探测中红外辐射。
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