【摘 要】
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文中介绍了用新工艺制成的新结构金硅面垒型探测器的主要性能。灵敏面积为300mm~2的这种探测器,在室温下,当偏置电压为300V时,反向电流最好为0.09μA;能量分辨率可达16.8keV(
【机 构】
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文中介绍了用新工艺制成的新结构金硅面垒型探测器的主要性能。灵敏面积为300mm~2的这种探测器,在室温下,当偏置电压为300V时,反向电流最好为0.09μA;能量分辨率可达16.8keV(FWHM,~(241)Am源)。本文对新工艺的特点、测试仪器及原材料质量等主要问题作了讨论。
The paper introduces the main performance of the new structure gold-silicon surface barrier detector made with new technology. Sensitive area of 300mm ~ 2 of this detector, at room temperature, when the bias voltage is 300V, the reverse current is the best 0.09μA; energy resolution up to 16.8keV (FWHM, ~ (241) Am source) . This article discusses the main features of the new process, the quality of test equipment and raw materials, and other major issues.
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