a—Si：H和a—SixH1—x：H光学特性的研究

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：panzx777

【摘要】

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本文所用a-Si:H和a-SixN1-x:H薄膜是用辉光放电法制备而成的,薄膜中氮含量由淀积气体中氮气与硅烷气体体积比γ(=N2/SiH4)来控制,利用椭圆偏振光谱测定了a-Si:H和a-SixN1-x:H

【作者】

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冯玉春罗晋生

【机构】

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西安整流器研究所,西安交通大学

【出处】

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半导体技术

【发表日期】

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1990年1期

【关键词】

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a-Si:H材料半导体薄膜光学特性

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本文所用a-Si:H和a-SixN1-x:H薄膜是用辉光放电法制备而成的,薄膜中氮含量由淀积气体中氮气与硅烷气体体积比γ(=N2/SiH4)来控制,利用椭圆偏振光谱测定了a-Si:H和a-SixN1-x:H在波长为200A-6000A的范围内的光学常数.着重研究了其光学参数随制备时的衬底温度T和γ而变化的变化规律.

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