YSZ/Si上Bi—Sr—Ca—Cu—O超导膜中分形的形成机理

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该文采用了原子力显微镜观察了YSZ-Si上磁控溅射BSCOO高温超导薄膜退火中的分形区域,计算了不同退火温度下的分形维数。在未红退火退火温度低于150℃或高于800℃时都不产生分 ,200℃和450℃退火时分别产生维为1.71和1.79的分形。
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