【摘 要】
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采用脉冲激光沉积(PLD)法,在多孔支撑的NiO-YSZ阳极基底上制备YSZ电解质薄膜。利用XRD、SEM和射频阻抗/材料分析仪对多层膜的物相结构、表面形貌以及电学特性等进行表征。实
【机 构】
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内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室,
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采用脉冲激光沉积(PLD)法,在多孔支撑的NiO-YSZ阳极基底上制备YSZ电解质薄膜。利用XRD、SEM和射频阻抗/材料分析仪对多层膜的物相结构、表面形貌以及电学特性等进行表征。实验结果发现,YSZ电解质薄膜在300-500℃之间,其电导活化能最小值为0.86e V,电导率可达到7.96×10-5s/cm。
The YSZ electrolyte thin film was prepared on the porous support NiO-YSZ anode substrate by pulsed laser deposition (PLD). The phase structure, surface morphology and electrical properties of multilayer films were characterized by XRD, SEM and RF impedance / material analyzer. The experimental results show that the minimum value of the activation energy of YSZ electrolyte membrane is 0.86eV and the conductivity is 7.96 × 10-5s / cm at 300-500 ℃.
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