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本文报导当在室温下向非晶硅(a-Si)表面溅射钼(Mo)的过程中Mo与非晶硅发生互作用的现象。该互作用要求一定的临界溅射功率与钼层厚度。其作用速率在a-Si界面为反应速率限制,而在与Mo交界面则为扩建速率限制。互作用生成非晶态钼硅Mo:a-Si合金。它可阻止铝(Al)向a-Si中扩散,同时可改善a-Si TFT的接触特性。当用Al/Mo作a-Si薄膜晶体管(a-Si TFT)的源和漏电极时,可提高