【摘 要】
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采用反应磁控溅射法制备了Fe掺杂的SnO2薄膜.沉积衬底为（100）的单晶硅,基片温度270℃,Ar为溅射气体.使用XRD,AFM和VSM研究氧分压对薄膜晶体结构和室温磁性能的影响.实验表明,氧
【基金项目】
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国家自然科学基金（50471011）,国家杰出青年基金（50525101）
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采用反应磁控溅射法制备了Fe掺杂的SnO2薄膜.沉积衬底为（100）的单晶硅,基片温度270℃,Ar为溅射气体.使用XRD,AFM和VSM研究氧分压对薄膜晶体结构和室温磁性能的影响.实验表明,氧分压为0.12Pa时,溅射得到的化学成分为Sn（0.975）Fe（0.025）O（2-δ）的薄膜样品具有明显的室温铁磁性,平均饱和原子磁矩达到1.8μB/Fe.通过HRTEM和EDS分析了此样品的显微结构和成分分布,实验结果表明,薄膜由粒径3～7nm的纳米晶构成,为四方金红石SnO2相;Fe元素分布较为均匀,排除了
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