目前,超大规模集成电路（VLSI）已发展到每单片上制造100,000个以上元件的集成度,对这种电路除了要求新的电路设计、新的器件结构与工艺等外,还必须进一步减少器件的几何尺寸。要求其结深为0.2～0.5μm、接触面积为1～2μm²。因此,通常用来作为肖特基接触、欧姆接触、低阻栅的Au、Ag、Al和多晶硅等已不适应上述要求。Al具有高电导等优点,但由于Al在硅中的渗透及电迁移等问题,对如图1所示的结构要求即使是Al+1％硅合金也不能防止由于Al渗透引起的短路。多晶硅常作为MOS电路中栅极,但其电阻率较高(约10^-3Ωcm),当线宽缩小到1μm时,大的时间常数RC会影响电路的速度。因此,研究新材料和结构来适应VLSI中对金属化的要求是VLSI发展中重要的课题之一。 近十年来,人们对金属硅化物的形成、晶体结构、生长动力学与机理、力学电学性质及其与硅接触的界面性质、热稳定性等各方面进行了大量的研究。工作结果表明,金属硅化物具有约10^-5Ωcm的电阻率,良好的热稳定性及与硅接触形成的肖特基势垒具有高可靠性、重复性等优点。应用研究表明,金属硅化物是可替代铝直接与硅接触的好材料。现在,金属硅化物-硅接触正作为一种先进工艺应用到器件生产中。