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在大气中采用火焰法在单晶硅基底上沉积金刚石薄膜，研究了沉积过程中Ｃ与Ｓｉ基底的反应。结果表明：气相中的碳原子首先在基底表面被吸附，然后扩散进入基底并与基底反应，在较高的温度下，碳与基底反应形成碳化硅；在较低温下，没有发现形成ＳｉＣ．当碳原子在基底表面过饱和以后金刚石开始成核。
火焰法沉积金刚石过程中碳与基底的反应
【摘 要】
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在大气中采用火焰法在单晶硅基底上沉积金刚石薄膜，研究了沉积过程中Ｃ与Ｓｉ基底的反应。结果表明：气相中的碳原子首先在基底表面被吸附，然后扩散进入基底并与基底反应，在较高的温度下
【机 构】
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北京科技大学粉末冶金教研室
【出 处】
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硅酸盐学报
【发表日期】
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1995年6期
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