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绝缘体上的锗硅（SiGe．On．Insulator，SGOI）材料不仅是高迁移率新型沟道材料应变硅的良好衬底，其本身也是一种极具潜力的高迁移率衬底材料．Ge浓缩是获得高Ge组分、高质量SGOI的最优制备方法之一，传统Ge浓缩工艺在实验中得到改进，在高纯N2气氛中，进行了1000oC的后退火以改善所得SGOI中Ge元素的分布．实验制备了三种后退火条件下的Ge浓缩样品以作对比，并在三种样品上分别外延了20nm厚的顶层Si以进一步确定所得SGOI材料性能．实验结果发现。三种样品表面平整度并无太大差别，而使用了改