一种1V电压工作的高精度CMOS带隙基准源

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基于标准1μmCMOS工艺,针对1V供电电压,设计了一种自偏置PTAT电流产生电路和低电源、高增益的运算放大器,最终实现了低电源工作的带隙基准电路。在1V电源电压下,采用1μmCMOS工艺进行仿真,温度系数在-20~120℃范围内达到13×10^-6,低频电源抑制比达到90dB。
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