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一种1V电压工作的高精度CMOS带隙基准源
一种1V电压工作的高精度CMOS带隙基准源
来源 :电子科技 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wagegea
【摘 要】
:
基于标准1μmCMOS工艺,针对1V供电电压,设计了一种自偏置PTAT电流产生电路和低电源、高增益的运算放大器,最终实现了低电源工作的带隙基准电路。在1V电源电压下,采用1μmCMOS工艺
【作 者】
:
唐华
肖明
吴玉广
【机 构】
:
西安电子科技大学微电子所B704
【出 处】
:
电子科技
【发表日期】
:
2006年2期
【关键词】
:
自偏置
PTAT
温度系数
电源抑制比
Self-bias
PTAT
TC
PSRR
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基于标准1μmCMOS工艺,针对1V供电电压,设计了一种自偏置PTAT电流产生电路和低电源、高增益的运算放大器,最终实现了低电源工作的带隙基准电路。在1V电源电压下,采用1μmCMOS工艺进行仿真,温度系数在-20~120℃范围内达到13×10^-6,低频电源抑制比达到90dB。
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