基于线性曲率校正技术的低电压带隙基准源设计

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采用电流求和取代传统电压求和的方法设计了一款低基准电压输出的带隙基准电压源电路,同时提出一种线性化P-N结正向导通电压(VBE)的温度曲率校正技术,保证了基准电压的低温漂和高精度.整个电路采用TSMC 0.6μm BCD工艺设计实现,芯片面积为0.2 mm2.在Cadence环境下使用Spectre对电路进行了模拟仿真,仿真结果表明:该基准电路可在低至1.1 V的电源电压下正常工作;在-20℃~120℃温度范围内,温度系数为9.1×10-6/℃,PSRR为-78 dB.在典型的1.5 V电源电压下,基准输出电压可调节范围为0.165~1.25 V.
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