【摘 要】
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在常温下,对La掺杂共生结构铁电陶瓷Bi4-xLaxTi3O12-SrBi4-yLayTi4O15[BLT-SBLT(x+y),x+y=0.00,0.25,O.50,0.75,1.00,1.25,1.50]进行了拉曼光谱研究.结果表明,在掺杂量低于0.
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在常温下,对La掺杂共生结构铁电陶瓷Bi4-xLaxTi3O12-SrBi4-yLayTi4O15[BLT-SBLT(x+y),x+y=0.00,0.25,O.50,0.75,1.00,1.25,1.50]进行了拉曼光谱研究.结果表明,在掺杂量低于0.50时,La只取代类钙钛矿层中的Bi,当掺杂量高于0.50后,部分La开始进入(Bi2O2)2+层.La取代(Bi2O2)2+层中的部分Bi以后,(Bi2O2)2+层结构发生变化,原有的绝缘层和空间电荷库的作用减弱,导致材料剩余极化下降.La掺杂量增至1.50时,样品出现弛豫铁电性,这与30 cm-1以下模的软化相对应,说明La掺杂可引起材料的结构相变.
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