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低温分子束外延技术的应用 ,使高浓度掺杂的III -V族稀磁半导体得以成功制备 ,与现代半导体器件兼容 .本文概要地回顾了磁性半导体的发展历史 ,介绍了目前的实验 ,应用及理论进展
III-V稀磁半导体研究进展
【摘 要】
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低温分子束外延技术的应用 ,使高浓度掺杂的III -V族稀磁半导体得以成功制备 ,与现代半导体器件兼容 .本文概要地回顾了磁性半导体的发展历史 ,介绍了目前的实验 ,应用及理论
【机 构】
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河南师范大学物理与信息工程学院,河南,新乡,453002
【出 处】
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河南师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2003年02期
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