论文部分内容阅读
本文研究了熔体下降法生长大尺寸ＣｓＩ：Ｔｌ晶体的结晶习性。从结晶化学角度分析了晶体中的结构基元为Ｃｓ－Ｉ８立方体，属于立方紧密堆积型，根据负离子配位多面体生长基元理论模型，研究了立方八面体在晶体中的结晶方位和各个面族上相互联结的稳定性，讨论了晶体各个面族的显露顺序为：｛００１｝＞｛１１０｝＞｛１１１｝＞｛２１０｝。在晶体生长过程中，同一个面族的晶面在不同的温度和温度梯度下，生长速率也有所不同，表现在固－液界面形状凸与凹的变化上。界面形状的变化机理是从结晶动力学角度进行分析的。在相同的温度和温度梯度条件下，