【摘 要】
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通过直流磁控反应溅射制备了氮化铝（AlN）薄膜,研究了沉积条件与氮化镓（GaN）缓冲层对薄膜质量的影响。利用X-射线衍射仪（XRD）和扫描电镜（SEM）表征了AlN薄膜的晶体结构和表面形貌。XRD
【机 构】
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发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所.吉林长春130033,中国科学院大学.北京100039
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通过直流磁控反应溅射制备了氮化铝（AlN）薄膜,研究了沉积条件与氮化镓（GaN）缓冲层对薄膜质量的影响。利用X-射线衍射仪（XRD）和扫描电镜（SEM）表征了AlN薄膜的晶体结构和表面形貌。XRD研究结果表明,低工作压强、短靶距和适当的氮气偏压有利于（002）择优取向的AlN薄膜沉积。随着沉积时间的增加,沉积在50 nm厚的GaN缓冲层上的AlN薄膜的（002）面的衍射峰的半高宽急剧减小,而沉积在1μm厚的GaN薄膜上的AlN薄膜的（002）面的衍射峰的半高宽几乎不变。SEM测试结果表明：在沉积的初期,沉
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