【摘 要】
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VishayIntertechnology推出采用热增强型2mmX2mmPowerPAKSC．70封装的单路12V器件SiA447DJ，以及采用3mmX1．8mmPowerPAKChipFET封装、高度0．8mm的单片30V器件-Si5429DU，扩充其Trench
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VishayIntertechnology推出采用热增强型2mmX2mmPowerPAKSC．70封装的单路12V器件SiA447DJ，以及采用3mmX1．8mmPowerPAKChipFET封装、高度0．8mm的单片30V器件-Si5429DU，扩充其TrenchFETGenIII系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点，在4．5V下具有相应外形尺寸产品中较低的导通电阻。
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Vishay推出新款双路12VP沟道TrenchFET功率MOSFET——SjA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中最低的导通电阻，采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC．70封装。
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