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一般情况下，硅发光二极管与InP(磷化铟)等制成的化合物半导体相比，光吸收率及载流子迁移率较低，因此很难提高灵敏度。而此次通过在传感器上部设置银制天线，利用表面等离子体谐振现象生成了很强的近场光，从而解决了这一问题。另外，该产品通过大幅减小元件体积，降低了寄生电阻和寄生电容，从而实现了可与20GHz化合物半导体媲美的高速特性。