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随着InSb红外焦平面探测器的发展，焦平面阵列规模越来越大，像元面积越来越小。湿法刻蚀因其各向同性的特点，导致像元钻蚀严重，越来越难满足大规格InSb焦平面器件的要求。研究了以Ar／CH4／H2作为刻蚀气体，利用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀大规格InSb晶片的初步研究结果，研究不同RF功率、腔体压力和Ar的含量对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法。