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采用广义梯度近似的密度泛函理论方法计算了4H—SiC的本征态的电子结构以及4H—SiC材料N掺杂后的电子结构，计算结果表明：与本征态相比，N掺杂后的4H—SiC的导带与价带均向低能端移动，导带移动幅度大于价带，使得掺杂后的禁带宽度小于本征态的禁带宽度：导带底进入N的2s态和2p态，但它们所占比重小，掺杂浓度变化对导带底影响较小；价带顶进入N的2p态，随掺杂浓度增加，其向低能端移动较多，使得禁带宽度增大。