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利用不同方法制备出多孔硅并在多孔硅上生长透明导电的薄膜,通过多孔硅独特的结构特点与SnO2薄膜形成p-n异质结,研究其光电响应特性,初步结果表明,多孔硅/SnO2薄膜异质结构的光电探测器具良好的响应度以及响应时间,这将拓宽多孔硅异质结在光电探测器领域的应用。
多孔硅异质结的制备及光电探测性能研究
【摘 要】
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利用不同方法制备出多孔硅并在多孔硅上生长透明导电的薄膜,通过多孔硅独特的结构特点与SnO2薄膜形成p-n异质结,研究其光电响应特性,初步结果表明,多孔硅/SnO2薄膜异质结构的
【机 构】
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广州大学物理与电子工程学院
【出 处】
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中国科技信息
【发表日期】
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2019年24期
【基金项目】
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广东省大学生攀登计划项目(pdjhb0405),大学生创新训练省级项目(201811078090)资助
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