FABRICATION OF STRAINED-Si CHANNEL P-MOSFET's ON ULTRA-THIN SiGe VIRTUAL SUBSTRATES

来源 :电子科学学刊:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sicong907171
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<正>In the ultra-thin relaxed SiGe virtual substrates, a strained-Si channel p-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (p-MOSFET) is presented. Built on strained-Si/240nm relaxed-Si0.8 Ge0.2/ 100nm Low Temperature Si (LT-Si)/10nm Si bu
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