【摘 要】
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<正> 1971年5月在西德召开了半导体离子注入技术的第二届国际会议,根据该会的报导,离子注入技术在半导体器件制造中的用途日益广泛,现综合介绍其用途的几个方面如下: 1、离子
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<正> 1971年5月在西德召开了半导体离子注入技术的第二届国际会议,根据该会的报导,离子注入技术在半导体器件制造中的用途日益广泛,现综合介绍其用途的几个方面如下: 1、离子注入MOS技术。据美国休斯公司的介绍,这方面的技术包括:离子注入自对准栅、阈值控制技术、垂直壁离子掺杂形成互补MOS、MOS微波器件、离子注入技术形成高压MOS及在二氧化硅中形成抗辐射的电荷、电子陷阱等。现仅举两例,离子注入实现的自对准栅比硅栅、钼栅等自对准结构更好,沟道长度短,栅与漏的复盖更进一步
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