【摘 要】
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以一阶微分散射理论为基础,从理论和模拟两个方面对超光滑基片表面的散射电磁场进行了数值研究.分析了s偏振光和p偏振光的微分散射随入射角和散射角的分布情况.研究发现,当入
【机 构】
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国防科学技术大学光电科学与工程学院,湖南长沙,410073
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以一阶微分散射理论为基础,从理论和模拟两个方面对超光滑基片表面的散射电磁场进行了数值研究.分析了s偏振光和p偏振光的微分散射随入射角和散射角的分布情况.研究发现,当入射角较大时,p偏振光在某个散射方向的微分散射为0,而无论入射角和散射角如何变化,s偏振光的微分散射均大于0.当用光散射法对超光滑基片进行表面测试时,相对于p偏振光,选择s偏振光入射可以避免在某些特定位置处散射强度为0,导致无法测量的情况;同时,采用s偏振光比p偏振光具有更高的光电检测效率,更适合于超光滑基片表面的测试.
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