【摘 要】
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利用混蒸的方法、将空穴阻挡材料2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanhroline及电子传输材料Tris（8-hydroxy-quinolinato）aluminium混合,在电子传输层及空穴阻挡层之间制备
【机 构】
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北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室
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利用混蒸的方法、将空穴阻挡材料2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanhroline及电子传输材料Tris（8-hydroxy-quinolinato）aluminium混合,在电子传输层及空穴阻挡层之间制备了薄层的混合界面。在相同驱动电压下,采用混合界面的器件比常规器件的电流密度和亮度都有明显提高,在电压为10 V时,常规器件的电流密度和发光功率分别为5.13 mA.cm-2和1.03μW,而采用混合界面的器件可以分别达到18.1mA.cm-2和3.64μW。通过分析认
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