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我国经济快速发展，从而使得我国经济在各行各业都得到快速发展，正是因为如此，我国硅产业发展也得到快速发展，我国硅产业从原来的进口，逐渐转为自产为主。硅运用的行业也越来越广，如医药、钢材、玻璃、化工、五金、电子电器元件、机电配件等。目前，我国硅产量占了世界三分之一，我国也成为了世界上最大的硅消耗的大国，随着其在各行各业的发展，我国硅产业也在不断壮大和发展，并加大了对国外的出口。其实硅产业发展与国家经济高度发展与否是息息相关的，在国外，以美国、英国、法国、意大利等西方国家其硅产业发展都是受到人们首肯的。本文重点研究我国硅产业及国外硅产业的发展，并结合此前相关人员有研究成果进行硅产业国内外发展的情况变化，以便使我国的硅产业健康发展，使其在人类不断进步和文明的道路做出他应有的贡献。
>>>国内研究现状
1823年，硅首次作为一种元素被贝采里乌斯发现，并于一年后提炼出了无定形硅。自从这以后，硅就开始被人们重视。随之而来的就是硅在工业和各产生及民生用品的出现。我国硅工业有40多年的发展史。
（一）工业硅生产理论
《工业硅生产》为何允平、王恩慧编写，由冶金工业出版社1996年出版，本书重点介绍了我国工业硅生产发展状况，其阐述工业硅分冶金硅和化学硅，根据各行业的硅的发展及运用，以分析生产过程中运用的技术主为，并介绍生产过程中各类生产硅工具及环境等进行介绍，并要求对其进行保管和保养。值得一提的是本书还介绍了世界主要生产工业硅的国的产量情况及重点生产工业硅的情况，并指明中国是世界最大的出口工业硅的国家。
（二）工业硅科技发展理论
《工业硅科技新进展》为何允平、王金铎编写，由冶金工业出版社2003年出版，本书介绍了20世纪80年代以来，国内外工业硅在生产、设计、科研取得成果和经验以及技术的新进展。其中包括生产工艺与设备的改进，原料的选择与制备，电炉熔炼和反应机理、工业硅的精制、烟气的治理、粉尘及热力的回收利用、工业硅生产发展动向。
（三）有机硅的研究理论
《国内外有机硅生产现状及市场分析》为孙宗连撰写，发表在《精细与专用化学品》刊物上。本文重点介绍硅工业中有机硅的生产现状，并重点分析了有机硅的市场发展动向、方向及综合情况。本书不只是介绍了国内还介绍了国外的有机硅的生产现状，市场的综合情况。
（四）高技术硅产业发展理论
《我国高技术硅产业发展问题与对策》为傅积赉撰写，发表于《精细与专用化学品》，2010年3期，本文重点分析了我国高技术硅产业的发展情况，并根据实际的情况，提出了在发展中应注意的问题和需要解决的方案，本文发表后受到行业及学术界的重视。
（五）硅产业国内外对比分析理论
《国内外硅产业发展情况对比分析》为《有机硅氟资讯》发表的，刊于2009年06期，本文重在分析国内硅产业发展情况，同时也分析了国外硅产业的发展情况，并将国内及国外两个硅产业进行对比分析，使得我们明白硅产业发展仍以我国为主，并且表明我国是出口大国，日本70%的工业硅都是中国进口，这些对比也表明我国产量高，但效益和附加价值低，不利于我国硅工业健康发展，作者也简要提出了一些改变现状的建议。
（六）硅产品投资分析理论
《中国工业硅产品市场投资前景及风险评估分析报告》为《国信在线网》一篇论文，本文分析了硅产品的市场需求，并根据风险评估做出了相应报告，本文为硅产品投资者及硅产品价值研究者必备的理论工具，此理论属硅工业的细分理论，具有投资及考察的参考价值。
（七）硅工业区域投资与研究理论
《广西硅矿资源优势及其开发前景》为王殿华撰写发表在《南方国土资源》2009年5期，本文重点介绍了广西硅矿的资源优势，分析出了硅工业建设在广西建设的可能性，并且研究了硅产品开发途径及内容。本文是区域硅工业投资与研究的理论，值得大家研究和学习。
（八）阶段发展硅产业研究理论
《2010-2013年度（季度）中国工业硅产业发展研究及趋势预测报告》是《国信在线网》发表的重要研究硅产业的报告，本报告研究和分析了2010-2013年度（季度）中国工业硅产业发展情况，并根据发展情况大胆地进行了产业发展的趋势预测，是我国硅产业投资者及公司投资和发展重要参考依据，本文为阶段性的产业研究理论文献，这是我们应该了解和需掌握的重要内容。
（九）硅产业链资源高效综合利用研究理论
《硅产业链中硅资源高效综合利用问题》为王跃林、段先健撰写，是2008年第十四届中国有机硅学术交流会的重要文献资料，本文重在研究了高效综合利用硅产业资源，并提出了行业整合，硅产业上下游企业的整合，及企业整合，行业整合等许多比较先进的理论和观点，在学术会上得多位专家的肯定和好评。
（十）工业硅的相关产品研究理论
《有机硅消泡剂的研究发展及其市场前景》为周海、陈文纳撰写发表于《化工技术与开发》2007年，本文为工业硅生产硅消泡剂的理论研究文献，其阐述了硅消泡剂的发展状况及广阔的市场场景，值得大家学习，目前，我国硅相关的工业产品的理论研究还相对较少，需要进一步进行研究和分析。
（十一）硅产业原料分析理论
《我国硅质原料产业现状及发展趋势》为彭寿、陈志强撰写，发表于《国外建材科技》，2008年2期。本文重在分析硅质原材料生产、供应的产业发展状况，并根据实际情况研究分析出了其发展趋势，为硅下游产品购买者及投资者及信息使用者有用的参考信息，也是专家及学者分析和研究的重要参考信息。
>>>国外研究现状
（一）国外硅发现与研究理论
硅是被瑞典化学家琼斯·雅可比·贝采里乌斯（Jons Jakob Berzelius）发现的。1787年，拉瓦锡首次发现硅存在于岩石中。然而在1800年，戴维将其错认为一种化合物。1811年，盖-吕萨克和Thénard可能已经通过将单质钾和四氟化硅混合加热的方法制备了不纯的无定形硅。1823年，硅首次作为一种元素被贝采里乌斯发现，并于一年后提炼出了无定形硅，其方法与盖-吕萨克使用的方法大致相同。他随后还用反复清洗的方法将单质硅提纯。 （二）硅超大规模集成电路工艺的实践与理论
美国作者普卢默撰写了一部《硅超大规模集成电路工艺技术、理论、实践与模型：Silicon VLSITechnology Fundamentals，Practice and Modeling英文版》，由我国电子工业出版社，2003年4月1日出版，该文以全英文在我国出版。该文以硅超大规模集成电路工艺的实践与理论为主，介绍了现代CMOS工艺技术，硅晶圆片的基本特性，半导体生产，光刻、杂质扩散、离子注入、薄膜淀积、刻蚀、后道工艺技术等多方面来分析与研究了硅超大规模集成电路工艺的理论是一本难得的硅产业中的精工产业理论的代表性著作。
（三）硅电阻率/捅杂浓度模型理论
《一种新的补偿硅电阻率/掺杂浓度模型》由Dominic LEBLANC.Karol与PUTYERA共同发表在《TRANSACTIONS OF NONFERROUS METALS SOCIETY OF CHINA》，2011 21（5）。硅片或硅块的电阻率与掺杂浓度的关系模型不适用于补偿硅，如精纯冶金级硅（UMG-Si）.目前尚无合适的理论模型可以准确解释补偿硅实验和观测结果间存在的差异.基于电解液理论提出一种包含电离平衡常数的新方法，可以得到单掺杂硅的电荷载子迁移率Thurber曲线.当掺杂硅中包含一种以上掺杂物质时，需要采用数值算法来解决多重平衡系统.研究表明这类系统表现出一种缓冲溶液的特定行为.通过计算化合物的热力学参数获得平衡常数，并利用现有的电化学知识（Nerust方程和Butler-Volmer方程）提出一个普遍理论.因为硅/掺杂物系统构成一个弱电解质固溶体，电解质溶液理论为太阳能电池行为的认知提供了一个很好的物理模型和数学框架。
（四）熔体硅中杂质去除理论
《有限负压下熔体硅中磷的挥发去除》由郑淞生 Jafar SAFARIAN Seongho SEOK Sungwook KIM Merete TANGSTAD 罗学涛国内外学者共同发表在《TRANSACTIONS OF NONFERROUS METALS SOCIETY OF CHINA》，2011 21（3）。该文对有限负压下熔体硅中磷的挥发去除进行研究.采用电子级硅配制Si-P合金，并采用GD-MS来检测实验前后硅中的磷含量.理论计算结果表明：在有限负压下，硅中的磷以P和P2的气体形式从熔体硅中挥发.实验结果显示：在温度1 873 K、真空度0.6-0.8 Pa、熔炼3600s的条件下，熔体硅中的磷从0.046%（460ppmw）下降到0.001%（10ppmw）.实验结果与理论结果一致表明：当熔体硅中磷的含量大且炉腔内气压相对较高时，磷的去除与气压高度相关；而当炉腔气压很低时，磷的去除基本与气压无关.原因是在相对高磷含量的熔体硅中，磷主要以P2气体的形式挥发；在磷含量较低时，磷主要以单原子气体P的形式挥发。
（五）硅块表面抛光对切研究理论
《硅块表面抛光对切割良率及碎片率的影响》由张存新. Kengo Nakano.李建敏.章金兵共同在《2010第十一届中国光伏大会暨展览会》作出报告的。该文谈到硅片在生产加工过程中会产生崩边、边缘、隐裂等不良品，其中硅块的磨面、倒角环节是造成硅片隐裂等不良的主要原因之一。本文对比了两种不同的抛光工艺，即普通金刚石抛光和软刷磨面抛光工艺对硅块表面粗糙度及损伤层的影响。结果表明，不同的抛光工艺会产生不同的硅块的表面粗糙度及损伤层，而通过损伤层的厚度可以定量描述研磨工艺对硅块产生应力作用。由于较大的内应力容易造成硅决裂纹向内部延伸，从而导致崩边、边缘、隐裂片等不良品的产生，因此优化硅块的表面抛光工艺可以有效地减少后续切片工艺产生的隐裂片和裂片率。通过这一有效措施，切片的收率提高约3.47%，良率提高了约2.58%。
>>>结束
综上所述，我国硅产业在不断发展，其投资和开发都已经成为世界人民注意的中心，我国硅产业发展现在供60多国家原材料需求，但我国硅产业的下游经济工业及循环经济利用还是有限的，我国硅产业是继续加大开采扩大出口。笔者从国内硅产业研究的理论和国外硅产业的研究理论中进行分析和研究，将采取综合文献研究法和相关的产业研究方法入手，重点研究硅产业的综合内容。其目的是要让我们知道我国硅产业发展，需要从科技工业和尖端科技研究领域发展，并重点将其运用到各行各业去，使我国不仅成为硅生产大国，也是科技研究和硅科技的运用大国。
（作者单位：中国化工信息中心）
>>>国内研究现状
1823年，硅首次作为一种元素被贝采里乌斯发现，并于一年后提炼出了无定形硅。自从这以后，硅就开始被人们重视。随之而来的就是硅在工业和各产生及民生用品的出现。我国硅工业有40多年的发展史。
（一）工业硅生产理论
《工业硅生产》为何允平、王恩慧编写，由冶金工业出版社1996年出版，本书重点介绍了我国工业硅生产发展状况，其阐述工业硅分冶金硅和化学硅，根据各行业的硅的发展及运用，以分析生产过程中运用的技术主为，并介绍生产过程中各类生产硅工具及环境等进行介绍，并要求对其进行保管和保养。值得一提的是本书还介绍了世界主要生产工业硅的国的产量情况及重点生产工业硅的情况，并指明中国是世界最大的出口工业硅的国家。
（二）工业硅科技发展理论
《工业硅科技新进展》为何允平、王金铎编写，由冶金工业出版社2003年出版，本书介绍了20世纪80年代以来，国内外工业硅在生产、设计、科研取得成果和经验以及技术的新进展。其中包括生产工艺与设备的改进，原料的选择与制备，电炉熔炼和反应机理、工业硅的精制、烟气的治理、粉尘及热力的回收利用、工业硅生产发展动向。
（三）有机硅的研究理论
《国内外有机硅生产现状及市场分析》为孙宗连撰写，发表在《精细与专用化学品》刊物上。本文重点介绍硅工业中有机硅的生产现状，并重点分析了有机硅的市场发展动向、方向及综合情况。本书不只是介绍了国内还介绍了国外的有机硅的生产现状，市场的综合情况。
（四）高技术硅产业发展理论
《我国高技术硅产业发展问题与对策》为傅积赉撰写，发表于《精细与专用化学品》，2010年3期，本文重点分析了我国高技术硅产业的发展情况，并根据实际的情况，提出了在发展中应注意的问题和需要解决的方案，本文发表后受到行业及学术界的重视。
（五）硅产业国内外对比分析理论
《国内外硅产业发展情况对比分析》为《有机硅氟资讯》发表的，刊于2009年06期，本文重在分析国内硅产业发展情况，同时也分析了国外硅产业的发展情况，并将国内及国外两个硅产业进行对比分析，使得我们明白硅产业发展仍以我国为主，并且表明我国是出口大国，日本70%的工业硅都是中国进口，这些对比也表明我国产量高，但效益和附加价值低，不利于我国硅工业健康发展，作者也简要提出了一些改变现状的建议。
（六）硅产品投资分析理论
《中国工业硅产品市场投资前景及风险评估分析报告》为《国信在线网》一篇论文，本文分析了硅产品的市场需求，并根据风险评估做出了相应报告，本文为硅产品投资者及硅产品价值研究者必备的理论工具，此理论属硅工业的细分理论，具有投资及考察的参考价值。
（七）硅工业区域投资与研究理论
《广西硅矿资源优势及其开发前景》为王殿华撰写发表在《南方国土资源》2009年5期，本文重点介绍了广西硅矿的资源优势，分析出了硅工业建设在广西建设的可能性，并且研究了硅产品开发途径及内容。本文是区域硅工业投资与研究的理论，值得大家研究和学习。
（八）阶段发展硅产业研究理论
《2010-2013年度（季度）中国工业硅产业发展研究及趋势预测报告》是《国信在线网》发表的重要研究硅产业的报告，本报告研究和分析了2010-2013年度（季度）中国工业硅产业发展情况，并根据发展情况大胆地进行了产业发展的趋势预测，是我国硅产业投资者及公司投资和发展重要参考依据，本文为阶段性的产业研究理论文献，这是我们应该了解和需掌握的重要内容。
（九）硅产业链资源高效综合利用研究理论
《硅产业链中硅资源高效综合利用问题》为王跃林、段先健撰写，是2008年第十四届中国有机硅学术交流会的重要文献资料，本文重在研究了高效综合利用硅产业资源，并提出了行业整合，硅产业上下游企业的整合，及企业整合，行业整合等许多比较先进的理论和观点，在学术会上得多位专家的肯定和好评。
（十）工业硅的相关产品研究理论
《有机硅消泡剂的研究发展及其市场前景》为周海、陈文纳撰写发表于《化工技术与开发》2007年，本文为工业硅生产硅消泡剂的理论研究文献，其阐述了硅消泡剂的发展状况及广阔的市场场景，值得大家学习，目前，我国硅相关的工业产品的理论研究还相对较少，需要进一步进行研究和分析。
（十一）硅产业原料分析理论
《我国硅质原料产业现状及发展趋势》为彭寿、陈志强撰写，发表于《国外建材科技》，2008年2期。本文重在分析硅质原材料生产、供应的产业发展状况，并根据实际情况研究分析出了其发展趋势，为硅下游产品购买者及投资者及信息使用者有用的参考信息，也是专家及学者分析和研究的重要参考信息。
>>>国外研究现状
（一）国外硅发现与研究理论
硅是被瑞典化学家琼斯·雅可比·贝采里乌斯（Jons Jakob Berzelius）发现的。1787年，拉瓦锡首次发现硅存在于岩石中。然而在1800年，戴维将其错认为一种化合物。1811年，盖-吕萨克和Thénard可能已经通过将单质钾和四氟化硅混合加热的方法制备了不纯的无定形硅。1823年，硅首次作为一种元素被贝采里乌斯发现，并于一年后提炼出了无定形硅，其方法与盖-吕萨克使用的方法大致相同。他随后还用反复清洗的方法将单质硅提纯。 （二）硅超大规模集成电路工艺的实践与理论
美国作者普卢默撰写了一部《硅超大规模集成电路工艺技术、理论、实践与模型：Silicon VLSITechnology Fundamentals，Practice and Modeling英文版》，由我国电子工业出版社，2003年4月1日出版，该文以全英文在我国出版。该文以硅超大规模集成电路工艺的实践与理论为主，介绍了现代CMOS工艺技术，硅晶圆片的基本特性，半导体生产，光刻、杂质扩散、离子注入、薄膜淀积、刻蚀、后道工艺技术等多方面来分析与研究了硅超大规模集成电路工艺的理论是一本难得的硅产业中的精工产业理论的代表性著作。
（三）硅电阻率/捅杂浓度模型理论
《一种新的补偿硅电阻率/掺杂浓度模型》由Dominic LEBLANC.Karol与PUTYERA共同发表在《TRANSACTIONS OF NONFERROUS METALS SOCIETY OF CHINA》，2011 21（5）。硅片或硅块的电阻率与掺杂浓度的关系模型不适用于补偿硅，如精纯冶金级硅（UMG-Si）.目前尚无合适的理论模型可以准确解释补偿硅实验和观测结果间存在的差异.基于电解液理论提出一种包含电离平衡常数的新方法，可以得到单掺杂硅的电荷载子迁移率Thurber曲线.当掺杂硅中包含一种以上掺杂物质时，需要采用数值算法来解决多重平衡系统.研究表明这类系统表现出一种缓冲溶液的特定行为.通过计算化合物的热力学参数获得平衡常数，并利用现有的电化学知识（Nerust方程和Butler-Volmer方程）提出一个普遍理论.因为硅/掺杂物系统构成一个弱电解质固溶体，电解质溶液理论为太阳能电池行为的认知提供了一个很好的物理模型和数学框架。
（四）熔体硅中杂质去除理论
《有限负压下熔体硅中磷的挥发去除》由郑淞生 Jafar SAFARIAN Seongho SEOK Sungwook KIM Merete TANGSTAD 罗学涛国内外学者共同发表在《TRANSACTIONS OF NONFERROUS METALS SOCIETY OF CHINA》，2011 21（3）。该文对有限负压下熔体硅中磷的挥发去除进行研究.采用电子级硅配制Si-P合金，并采用GD-MS来检测实验前后硅中的磷含量.理论计算结果表明：在有限负压下，硅中的磷以P和P2的气体形式从熔体硅中挥发.实验结果显示：在温度1 873 K、真空度0.6-0.8 Pa、熔炼3600s的条件下，熔体硅中的磷从0.046%（460ppmw）下降到0.001%（10ppmw）.实验结果与理论结果一致表明：当熔体硅中磷的含量大且炉腔内气压相对较高时，磷的去除与气压高度相关；而当炉腔气压很低时，磷的去除基本与气压无关.原因是在相对高磷含量的熔体硅中，磷主要以P2气体的形式挥发；在磷含量较低时，磷主要以单原子气体P的形式挥发。
（五）硅块表面抛光对切研究理论
《硅块表面抛光对切割良率及碎片率的影响》由张存新. Kengo Nakano.李建敏.章金兵共同在《2010第十一届中国光伏大会暨展览会》作出报告的。该文谈到硅片在生产加工过程中会产生崩边、边缘、隐裂等不良品，其中硅块的磨面、倒角环节是造成硅片隐裂等不良的主要原因之一。本文对比了两种不同的抛光工艺，即普通金刚石抛光和软刷磨面抛光工艺对硅块表面粗糙度及损伤层的影响。结果表明，不同的抛光工艺会产生不同的硅块的表面粗糙度及损伤层，而通过损伤层的厚度可以定量描述研磨工艺对硅块产生应力作用。由于较大的内应力容易造成硅决裂纹向内部延伸，从而导致崩边、边缘、隐裂片等不良品的产生，因此优化硅块的表面抛光工艺可以有效地减少后续切片工艺产生的隐裂片和裂片率。通过这一有效措施，切片的收率提高约3.47%，良率提高了约2.58%。
>>>结束
综上所述，我国硅产业在不断发展，其投资和开发都已经成为世界人民注意的中心，我国硅产业发展现在供60多国家原材料需求，但我国硅产业的下游经济工业及循环经济利用还是有限的，我国硅产业是继续加大开采扩大出口。笔者从国内硅产业研究的理论和国外硅产业的研究理论中进行分析和研究，将采取综合文献研究法和相关的产业研究方法入手，重点研究硅产业的综合内容。其目的是要让我们知道我国硅产业发展，需要从科技工业和尖端科技研究领域发展，并重点将其运用到各行各业去，使我国不仅成为硅生产大国，也是科技研究和硅科技的运用大国。
（作者单位：中国化工信息中心）